金融界 2025 年 4 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“实现 PUTP 法分析硅片中 Bulk Cu 与 Ni 的手动前处理方法”的专利，公开号 CN119860966A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种实现 PUTP 法分析硅片中 Bulk Cu 与 Ni 的手动前处理方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：先实验前的准备。接着抛光片进行淀积多晶层。然后测多晶厚度监控片表面多晶厚度。再配置硅腐蚀混酸，记录初始质量量 H1‑含 PFA 瓶。取出生长 50nm 多晶样片，取均值记录为硅片前值。随后在样片边缘区域倒入 2‑5g 配置好的混酸；装有混酸的 PFA 小瓶再次称重，记录剩余质量 H2‑含 PFA 瓶。下一步经液滴快速扩开扫过硅片表面。通过氮气驱动混酸液滴腐蚀整个硅片多晶层。接着混酸腐蚀液滴回收至 PFA 容器，加热 PFA 容器赶硅蒸发，最后通过扫描液萃取残留元素进行 ICP‑MS 分析。具有准确有效，用于批量分析且无 VPD 的高成本投入，实现多晶硅均匀腐蚀和降低分析成本的特点。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息333条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员